盖世汽车讯据外媒报道，美格纳半导体公司宣布推出四款新型40VMXTMVMOSFET，采用PowerDualFlatNo-Lead(PDFN)33封装，适用于汽车...
盖世汽车讯 据外媒报道，美格纳半导体公司宣布推出四款新型40V MXT MV MOSFET，采用Power Dual Flat No-Lead(PDFN)33封装，适用于汽车应用。
随着自动驾驶和信息娱乐系统等汽车技术的进步，安装在车辆上的电机数量和种类不断增加。因此，高性能MOSFET需要具有低功耗、小尺寸和轻量化结构，能够高效驱动这些电机，其重要性日益凸显。
Magnachip新推出的40V MXT MV MOSFET采用PDFN33封装，与采用PDFN56封装的40V MOSFET产品相比，面积减少了60%以上，重量减少了约75%，因此更适合汽车电机和低功耗控制系统，因为性能、燃油效率和空间灵活性对于这些系统至关重要。